Исследователи из Дальневосточного федерального университета (ДВФУ) и Института автоматики и процессов управления ДВО РАН совершили прорыв в материаловедении, разработав...
Исследователи из Дальневосточного федерального университета (ДВФУ) и Института автоматики и процессов управления ДВО РАН совершили прорыв в материаловедении, разработав уникальный гибридный наноматериал. Этот инновационный композит открывает двери для создания принципиально новой платформы в области гибридной молекулярной электроники и спинтроники, обещая революционные способы хранения и обработки информации.
Танец атомов и молекул: Что такое новый материал?
Сердцем открытия стало слияние двух передовых классов веществ: ультратонкой атомарной пленки топологического изолятора (селенида висмута) и идеально сформированного мономолекулярного слоя фуллеренов C₆₀. Топологические изоляторы — это настоящая загадка квантового мира: они не пропускают электричество внутри себя, но обладают феноменальной проводимостью на своей поверхности благодаря особым квантовым эффектам. В свою очередь, фуллерены, знаменитые своей сферической структурой, ложатся на эту поверхность плотным молекулярным ковром, сохраняя при этом свои уникальные электронные свойства.
Ключ к безграничным возможностям: Управляемая электроника
Главная изюминка разработки — это беспрецедентная способность исследователей гибко изменять электронную структуру всей системы. Этот контроль достигается путем "интеркаляции" — точечного внедрения атомов калия в слой фуллеренов. Такая тонкая настройка свойств материала является критически важной для его практического применения, открывая путь к созданию устройств с заранее заданными характеристиками.
От наноэлектроники до памяти нового поколения
Потенциал нового наноматериала огромен. Он может найти применение в:
Высокопроизводительной наноэлектронике: Создание миниатюрных и мощных электронных компонентов.
Сверхчувствительных фотодетекторах: Повышение эффективности устройств, регистрирующих свет.
Фундаментальных исследованиях: Изучение сложных сильно коррелированных электронных систем.
Как отмечает доцент департамента общей и экспериментальной физики ДВФУ, кандидат физико-математических наук Александр Давыденко, эта система необходима для разработки устройств записи информации нового поколения. Для этого команда планирует создать на поверхности фуллеренового слоя ферромагнитный слой.
Если слой C₆₀ будет способен передавать спиновый момент от поверхности топологического изолятора в ферромагнитный слой, то будет создана очень гибкая система, пригодная для создания ячеек памяти, переключающихся под действием токовых импульсов, объясняет ученый.
Это означает, что мы стоим на пороге эры, когда информация будет записываться и считываться не только с помощью электрических зарядов, но и с использованием спина электронов, что обещает неслыханные скорости и плотность хранения данных. Исследование ученых ДВФУ — это значимый шаг к будущему, где электроника станет еще быстрее, компактнее и мощнее.
https://vlad.mk.ru/social/2026/02/16/uchenye-dvfu-sozdali-gibridnyy-nanomaterial-dlya-pamyati-budushhego.html
Танец атомов и молекул: Что такое новый материал?
Сердцем открытия стало слияние двух передовых классов веществ: ультратонкой атомарной пленки топологического изолятора (селенида висмута) и идеально сформированного мономолекулярного слоя фуллеренов C₆₀. Топологические изоляторы — это настоящая загадка квантового мира: они не пропускают электричество внутри себя, но обладают феноменальной проводимостью на своей поверхности благодаря особым квантовым эффектам. В свою очередь, фуллерены, знаменитые своей сферической структурой, ложатся на эту поверхность плотным молекулярным ковром, сохраняя при этом свои уникальные электронные свойства.
Ключ к безграничным возможностям: Управляемая электроника
Главная изюминка разработки — это беспрецедентная способность исследователей гибко изменять электронную структуру всей системы. Этот контроль достигается путем "интеркаляции" — точечного внедрения атомов калия в слой фуллеренов. Такая тонкая настройка свойств материала является критически важной для его практического применения, открывая путь к созданию устройств с заранее заданными характеристиками.
От наноэлектроники до памяти нового поколения
Потенциал нового наноматериала огромен. Он может найти применение в:
Высокопроизводительной наноэлектронике: Создание миниатюрных и мощных электронных компонентов.
Сверхчувствительных фотодетекторах: Повышение эффективности устройств, регистрирующих свет.
Фундаментальных исследованиях: Изучение сложных сильно коррелированных электронных систем.
Как отмечает доцент департамента общей и экспериментальной физики ДВФУ, кандидат физико-математических наук Александр Давыденко, эта система необходима для разработки устройств записи информации нового поколения. Для этого команда планирует создать на поверхности фуллеренового слоя ферромагнитный слой.
Если слой C₆₀ будет способен передавать спиновый момент от поверхности топологического изолятора в ферромагнитный слой, то будет создана очень гибкая система, пригодная для создания ячеек памяти, переключающихся под действием токовых импульсов, объясняет ученый.
Это означает, что мы стоим на пороге эры, когда информация будет записываться и считываться не только с помощью электрических зарядов, но и с использованием спина электронов, что обещает неслыханные скорости и плотность хранения данных. Исследование ученых ДВФУ — это значимый шаг к будущему, где электроника станет еще быстрее, компактнее и мощнее.
https://vlad.mk.ru/social/2026/02/16/uchenye-dvfu-sozdali-gibridnyy-nanomaterial-dlya-pamyati-budushhego.html
08:00 18.02.2026 16+
Выбор редакции
Оставить сообщение: